氮化造句
用“氮化”造句 第6組51、本文針對無壓燒結氮化硅的蠕變和慢裂紋生長性質進行了試驗研究。
52、在高ECR等離子體密度下沉積高質量氮化鎵薄膜。
53、這篇論文中，我們使用脈沖電流探討直流電流下，高功率氮化鎵發光二極體發光效率衰減的因素。
54、在不同條件下用射頻濺射方法制備了氮化碳薄膜。
55、首先介紹了酰基化反應、重氮化反應、溴化反應，成醚反應的機理和合成研究。
56、為提高汽輪機油基礎油對抗氧劑的感受性，應提高精制深度，深度脫除芳烴、膠質及氮化物，降低硫化物的含量。
57、我們比較擅長的反應類型有:烷基化,氧化,還原,重氮化,鹵化等.
58、其課題在于，針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產生短溝道效應。
59、文章通過對立方氮化硼發展史的回顧，以及對兩大基材的發展狀況的描述，分析了我國CBN的發展現狀及未來的發展前景。
60、發展方向為脫硫及余熱回收發電、氮化鎵.
61、介紹了普通等離子氮化和離子轟擊氮化處理奧氏體不銹鋼球體的基本原理、方法和工藝過程，以及離子轟擊氮化的特點。
62、由于白光LED之照明元件要求高效率及高安定性，因此白光LED用之無機螢光材料逐漸往氮化物方面發展。
63、本文介紹鈦材離子氮化工藝對其組織結構和性能的影響。
64、采用改進的升華法在氮氣環境下制備氮化鋁單晶體.
65、本公司是一家集醫藥中間體研發、生產、銷售為一體的、按現代企業制度運作的股份企業。目前產品以有機鹵化物、有機硅化物、氮化物系列產品為主。
66、氮化硅、二氧化硅雙層透明膜可用作硅PIN光電探測器抗反射膜。
67、單質分子和氮化物與鹵化物，其核間距與力常數都表現有相似的行為。
68、用一級輕氣炮沖擊加載裝置，對氮化硅陶瓷進行了沖擊性能實驗研究。
69、研究分析了普通葉臘石、復合葉臘石在立方氮化硼單晶合成過程中的不同效果，以及葉臘石的焙燒工藝對立方氮化硼單晶合成的影響。
70、通過將石墨烯薄片放置在一個氮化硅薄膜上，并用電子束在石墨烯上打出納米尺度的孔，他們制作出了一系列從5到25nm直徑的孔。
71、合理選擇離子氮化溫度、氣氛氮勢和處理時間，能有效控制鈦材氮化層中的化合物相的種類和相對含量。
72、氮化硅陶瓷廣泛用作高溫結構材料，是很有前途的陶瓷材料之一。
73、本發明公開了一種刻蝕停止層，包括在襯底上形成的含氮的碳化硅層，以及位于所述碳化硅層之上的氮化硅層。
74、汽巴公司發明了用極性電壓法控制連續重氮化過程中亞硝酸鹽加入速度的探測系統，赫斯特公司發明了連續式偶合裝置。
75、柴油機氮化球鐵曲軸在服役過程中發生了斷裂，斷裂發生在第一曲拐與第二主軸頸之間的曲柄處。
76、在不同的襯底溫度下用射頻濺射方法制備了氮化碳薄膜。
77、生產:單體硼,氮化硼,硼酐,無水硼砂;鹽酸,液氨,氨水.
78、同時,我們也針對在不同長晶溫度下以氮化鎵為基底的氧化鋅薄膜結構進行研究.
79、在渣油加氫處理中試裝置上,考察了渣油中氮化物在不同催化劑上的脫除規律.
80、提高氮化合金的生產能力，降低生產成本，采用了PSA制氮系統。
81、方法：以對硝基苯甲酰氯為原料，經氨解、氫化、重氮化及偶合四步反應得到了巴柳氮。
82、目前產品以有機鹵化物、有機硅化物、氮化物系列產品為主.
83、本文在離子氮化裝置及離子氮化工藝試驗研究的基礎上，根據氣體放電理論，提出并討論了雙層輝光放電現象。
84、利用基質輔助激光解吸電離飛行時間質譜法分析三苯胺偶氮化合物。
85、研究以碳作為還原劑，還原氮化五氧化二釩制備氮化釩過程中的還原氮化反應動力學。
86、K326生長期間進行打頂和未打頂處理，研究鮮煙葉片蛋白酶及含氮化合物的變化規律。
87、燒結助劑是影響氮化硅陶瓷的顯微結構和性能的關鍵因素之一。
88、氮化可明顯提高鏜軸的耐磨性.
89、引用被氮化物污染的水對人體是有害的,甚至于,對于有效的孩童來說,是致命的.
90、含氮化合物水體中進行氯化處理時，會產生化合性有效氯。
91、檢測結果還表明，醛類物質、含硫含氮化合物以及呋喃類物質可能是影響合作豬肉風味的重要揮發性物質。
92、氮化硅薄膜是一種多功能材料，在許多領域有著廣泛的應用。
93、采用雙光束激發制備得到了超微非晶納米氮化硅粉體。
94、富士通公司指出使用氮化鎵高電子遷移率晶體管技術后，新型放大器功率比目前使用砷化鎵晶體管的放大器的功率提高了6倍多。
95、由上可知，打頂后大量的含碳、氮化合物運輸到根系中，根系中碳氮代謝強度增大。
96、鹵素原子同氮化合物一樣，作為凈化劑。
97、脫臭前后FCC汽油中堿性氮化物種類和分布基本沒有變化。
98、含氮化合物如尿的主要組成成分尿素則經過幾步被轉化.
99、研究了燒結技術對氮化硅陶瓷顯微結構和力學性能的影響。
100、CBN120亮黑色立方氮化硼單晶,等積形單晶體,晶體較完整,具有較高韌性和熱穩定性.